第三代半导体材料快速发展,氮化镓驱动电路领域全球专利申请态势如何?

发布时间:2020-11-25 作者:庞滨洋 来源:TP情报社 阅读量:1363

随着技术的发展,终端设备对于半导体器件性能、效率、小型化要求的越来越高。特别是随着5G的到来,半导体材料将有革命性的变化,也进一步推动了以氮化镓(GaN)为首的第三代半导体材料的快速发展。

 

氮化镓具有高临界磁场、高电子饱和速度与极高的电子迁移率的特点。在电力电子领域,如在交流与直流电源转换、LED照明及电平转换等应用上提供了很多的优势。除此之外,功率半导体与微波射频领域也有广泛应用。

氮化镓具备广泛的应用前景和研究价值,其专利申请最早是1963年美国柯达公司申请的。但那时的氮化镓被认为是一种没有希望的材料,因此发展缓慢。直到1989年,松下电器公司东京研究所在全球首次实现蓝光LED,后来日本日亚化学工业公司独立研发出了大量生产氮化镓晶体的技术,使得氮化镓基器件发展非常迅速,专利数量快速增长,进入发展的黄金时期。其在驱动电路领域的全球专利申请态势如何呢?

截止今年11月份,全球氮化镓驱动电路相关专利共申请1398件。

 

氮化镓驱动电路相关专利申请趋势

 

2000年—2009年,全球氮化镓驱动电路相关专利数量的增长较为缓慢,但从2010年到2012年,该领域的专利量急剧增加,此后,从2013年到2018年,相关专利量每年也在波动中上升,这表示着氮化镓驱动电路相关技术有了突破与关键进展。国内氮化镓驱动电路相关专利申请从2010年开始有了缓慢的增长趋势,在2019年达目前最高数量。

另外,对于图中2019-2020年的专利申请数量,由于存在部分申请需要18个月之后才能公开的情况,因此存在专利申请数量统计不全。

 

氮化镓驱动相关专利公开国与来源国

氮化镓驱动相关专利的公开国或地区

 

氮化镓驱动相关专利的技术来源国或地区

 

从公开国的图中可以看到,美国、中国及日本是目前该领域中全球专利的主要目标国,这也与该领域目前的市场发展基本一致。而从技术来源国的图中可以看到,氮化镓驱动电路专利技术大部分掌握在日本、美国及中国手中。此外,德国主要是由该领域的巨头英飞凌在进行申请,因此保持在第四位。

 

 

氮化镓驱动相关专利申请人

专利较为集中地掌握在全球知名的电器及电子公司手中,三菱电机和英飞凌在氮化镓驱动电路专利方面占据强势地位,其他公司如纳微、松下、德州仪器等都正在增加其专利申请。目前也拥有强大的专利组合。