追踪第三代半导体的新秀——北京天科合达科创板受理

发布时间:2020-07-15 作者:TP情报社 来源:TP情报社 阅读量:189

科创板自2018年11月设立一年多以来,无数创新型企业如雨后春笋般公开发行并上市,进一步完善了资本市场基础制度、激发市场活力并保护了投资者合法权益,本公众号也将从知识产权角度,持续关注具有良好前景的新受理企业。

 

北京天科合达半导体股份有限公司

 

北京天科合达半导体股份有限公司于2006年9月由新疆天富集团、中国科学院物理研究所共同设立,目前注册资本为18384万元,是一家专业从事第三代半导体碳化硅(SiC)晶片研发、生产和销售的高新技术企业。

公司为全球SiC晶片的主要生产商之一。公司坚持现代企业管理制度,具备完整、规范的管理体系,已通过ISO9001:2015质量管理体系认证。总部公司设在北京市大兴区生物医药基地,拥有一个研发中心和一个集晶体生长-晶体加工-晶片加工-清洗检测的全套碳化硅晶片生产基地;全资子公司—新疆天科合达蓝光半导体有限公司位于新疆石河子市,主要进行碳化硅晶体生长。

公司是国内成立时间最早、规模最大的碳化硅晶片制造商之一。公司聚焦第三代半导体碳化硅材料领域,致力于不断提高碳化硅晶片的尺寸与质量,目前已经掌握 6 英寸碳化硅晶片的制造技术,并成功实现批量供应。公司部分产品在整体性能指标上与国际半导体龙头企业不分伯仲,开始在全球范围内与美国 CREE公司、美国 II-VI 公司等国际碳化硅晶片龙头企业直接竞争。公司作为国内一流的碳化硅晶片制造商,在不断追赶国际先进技术的同时,也不断扩大自己在全球碳化硅晶片市场的份额。根据 Yole Development 统计,2018 年公司导电型晶片的全球市场占有率为 1.7%,排名全球第六、国内第一。

 

主要财务数据

 

科创属性情况

北京天科合达从事的半导体行业是现代电子信息产业的基础,是支撑国民经济高质量发展的重要行业。半导体行业市场规模较大,产业链较长,技术门槛较高。半导体行业的产业链可大致分为设备、材料、设计等上游环节,器件制造与封装等中游环节,以及终端应用等下游环节。

截止目前拥有共28项国内专利,6项国际专利,主要涉及碳化硅晶体生长装置、控制装置、处理方式以及制备方法,碳化晶体制造加工下游工艺和各类提高硅晶体质量等级的处理方法。主要可以应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等领域;在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)外延片,可进一步制成微波射频器件,应用于5G通讯、雷达等领域。

 

竞争对手状况

国内同属于碳化硅晶片行业的可比公司为非上市公司,未公开披露详细的财务及业务相关数据;国外可比公司属于多主业经营的上市公司,在公开信息中未披露细分业务的分部信息详情,因此发行人无法获得可比公司关于相关业务的生产经营和财务数据。由于同行业可比公司公开信息的缺失,投资者难以直观和全面地判断发行人与竞争对手之间的差异,将对投资者做出投资决策造成不利影响。

 

自主知识产权核心技术

经过多年研发投入和技术积累,拥有自主知识产权的“PVT 碳化硅单晶生长炉制造技术”、“高纯度碳化硅生长原料合成技术”、“PVT 碳化硅晶体生长技术”、 “低翘曲度碳化硅晶体切割技术”、 “碳化硅晶片精密研磨抛光技术”和“即开即用的碳化硅晶片清洗技术”等六大核心技术体系,覆盖“设备研制—原料合成—晶体生长—晶体切割—晶片加工—清洗检测”的碳化硅晶片生产的全流程。

 

知识产权的数量

截至报告期末,公司拥有15项注册商标,包括13项国内商标和2项国际商标,部分情况如下:

拥有28项国内专利,其中发明专利27项,实用新型1项。拥有6项国际专利,部分情况如下:

 

 

共取得2项软件著作权,具体情况如下:

北京天科合达半导体股份有限公司以“经济高质量发展”为原则,自设立以来专注于第三代半导体碳化硅材料的技术研究、开发与生产。

目前,我国碳化硅市场仍处于新兴起步阶段。只有不断突破碳化硅晶片技术瓶颈,强化从业人员技术资质水平,才能有效提升碳化硅半导体材料国产化率。